Please use this identifier to cite or link to this item: https://dipositint.ub.edu/dspace/handle/2445/141400
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorMorante i Lleonart, Joan Ramon-
dc.contributor.advisorRomano Rodríguez, Albert-
dc.contributor.authorDiéguez Barrientos, Àngel-
dc.contributor.otherUniversitat de Barcelona. Departament d'Electrònica-
dc.date.accessioned2019-10-01T10:33:29Z-
dc.date.available2019-10-01T10:33:29Z-
dc.date.issued1999-09-29-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/2445/141400-
dc.description.abstract[spa] La investigación presentada está centrada en la mejora de sensores de gas conductométricos de Sn02. Se analizan sensores en capa gruesa y en capa delgada. En el primer caso, el polvo de Sn02 necesario para fabricar los sensores ha sido elaborado mediante la técnica de sol-gel. Tras la obtención de un precursor (Sn02 hidratado), se han realizado estudios de calcinación, introducción de aditivos metálicos (Pt, Pd) y, por primera vez, un molido del material. Gracias a la disponibilidad de nanopartículas con tamaño de grano entre 3 y 100 nm, se ha podido analizar por primera vez el espectro Raman completo de nanoparticulas de Sn02, a partir el cual se presentan tres metodos diferentes para determinar de forma no destructiva el tamaño de grano medio y la distribución de tamaños de partícula en un sensor. Del estudio del molido del material de deduce que a través de éste se puede controlar la microestructura de las nanopartículas, asi como el estado de su superficie, permitiendo un control de la resistencia de base de los sensores y una mejora de su selectividad. Los sensores en capa delgada se han fabricado mediante las técnicas IBAD i RGTO, en crecimiento mono y multicapa. Se presenta en el trabajo un estudio detallado del depósito de Sn y de su oxidacón termica, extrayéndose de la investigación de los parámetros de la difusión del O en el Sn, así como las diferentes fases intermedias en la conversión de Sn a Sn02. Mediante el método RGTO multicapa se consigue reducir el tiempo de oxidación, así como mejorar la sensitividad de los sensores.-
dc.format.extent361 p.-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherUniversitat de Barcelona-
dc.rights(c) Diéguez, 1999-
dc.sourceTesis Doctorals - Departament - Electrònica-
dc.subject.classificationDetectors de gasos-
dc.subject.otherGas detectors-
dc.subject.otherSemiconductors-
dc.titleStructural analysis for the improvement of SnO(2) based gas sensors-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion-
dc.date.updated2019-10-01T10:33:29Z-
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess-
dc.identifier.tdxhttp://hdl.handle.net/10803/667549-
Appears in Collections:Tesis Doctorals - Departament - Electrònica

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ADB_PhD_THESIS.pdf23.4 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.